鈦靶材并不是普通的材料，它是純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。下面給大家介紹一下鈦靶靶材的主要性能要求。

　　一、純度

　　純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能有很大的影響。但在實際應用中，靶材的純度要求不盡相同。例如，隨著微電子工業的快速發展，硅片的尺寸由6英寸、8英寸發展到12英寸，而布線寬度由0.5um減小到0.25um、0.18um甚至0.13um。以前，99.995%的目標純度可以滿足0.35um IC的工藝要求，而0.18um線的制備則需要99.999%甚至99.9999%的目標純度。

　　二、雜質含量

　　雜質含量目標固體中的雜質和孔隙中的氧、水蒸氣是主要的污染源。不同的靶材對不同的雜質含量有不同的要求。例如，半導體工業用純鋁和鋁合金靶材對堿金屬含量和放射性元素含量有特殊要求。

　　三、密度

　　為了減少靶材中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶的密度不僅影響濺射速率，而且影響薄膜的電學和光學性能。靶密度越高，薄膜性能越好。另外，提高靶材的密度和強度可以使靶材更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是目標的關鍵性能指標之一。

　　四、晶粒尺寸和晶粒分布

　　通常目標材料是多晶結構，晶粒尺寸可以從微米到毫米。對于同一靶材，小晶粒靶材的濺射速率比大晶粒靶材快，而小晶粒差靶材（均勻分布）沉積的薄膜厚度分布更均勻。